英飞凌科技股份公司近日颁发，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩大的大规模出产环境中把握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片出产不仅在技术上更先进，也由于晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增长了 2.3 倍，效能也显著提高。
300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、推算和通讯利用中急剧遍及，蕴含AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机节造系统等。先进的GaN造作工艺可能提高器件机能，为终端客户的利用带来诸多益处，蕴含更高的效能、更幼的尺寸、更轻的沉量和更低的总成本。此表，凭借可扩大性，300 mm造作工艺在客户供给方面拥有极高的不变性。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck
英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300 mm硅出产设备的整合试产线，成功地出产出300 mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300 mm硅和200 mm GaN的成熟产能阐扬其优势，同时还将凭据市场需要进一步扩大GaN产能。凭借300 mm GaN造程技术，英飞凌将推动GaN市场的不休增长。据估计，到2030岁暮，GaN市场规模将达到数十亿美元。
英飞凌位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂
这一开创性的技术成就彰显了英飞凌在全球功率系统和物联网半导体领域的辅导者职位。英飞凌正通过布局300 mm GaN技术，打造更具成本效益价值、可能满足客户系统全方位需要的产品，以加强现有解决规划并使新的解决规划和利用领域成为可能。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展（electronica）上向公家展示首批300 mm GaN晶圆。
由于GaN和硅的造作工艺极度类似，因而300 mm GaN技术的一大优势是能够利用现有的 300 mm硅造作设备。英飞凌现有的大批量300 mm硅出产线极度适合试产靠得住的GaN技术，既加快了实现的速度，又可能有效利用本钱。300 mm GaN的全规 ；霾兄谑迪諫aN与硅的成本在统一RDS(on) 级别可能靠近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将可能吃旖。
300 mm GaN是英飞凌战术创新辅导职位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化使命的达成。
